NVMFS5113PLT1G

JavaScript seems to be disabled in your browser. For the best experience on our site, be sure to turn on Javascript in your browser.

MOSFET P-CH 60V 10A/64A 5DFN

NOVA partie #:

312-2282442-NVMFS5113PLT1G

Fabricant::

Pièce de fabricant non:

NVMFS5113PLT1G

Paquet Standard:

1,500

Fiche technique:

Format de téléchargement disponible

aigle

OrCad

P-Channel 60 V 10A (Ta), 64A (Tc) 3.8W (Ta), 150W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)

More Information
Catégorie de produits	Transistors - FET, MOSFET - Unique
Fabricant:	onsemi
RoHS	1
emballage	Tape & Reel (TR)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Ensemble d'appareils du fournisseur	5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Numéro de produit de base	NVMFS5113
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Série	Automotive, AEC-Q101
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C	10A (Ta), 64A (Tc)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	14mOhm @ 17A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	83 nC @ 10 V
Fonction FET	-
Paquet/caisse	8-PowerTDFN, 5 Leads
Vg (Max)	±20V
Type FET	P-Channel
Tension drain à source (Vdss)	60 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	4400 pF @ 25 V
Dissipation de puissance (maximale)	3.8W (Ta), 150W (Tc)
Autres noms	NVMFS5113PLT1GOSDKR NVMFS5113PLT1G-ND NVMFS5113PLT1GOSTR NVMFS5113PLT1GOSCT