FDMS86101

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MOSFET N-CH 100V 12.4A/60A 8PQFN

NOVA partie #:

312-2280914-FDMS86101

Fabricant::

Pièce de fabricant non:

FDMS86101

Paquet Standard:

3,000

Fiche technique:

Format de téléchargement disponible

N-Channel 100 V 12.4A (Ta), 60A (Tc) 2.5W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)

More Information
Catégorie de produits	Transistors - FET, MOSFET - Unique
Fabricant:	onsemi
RoHS	1
emballage	Tape & Reel (TR)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Ensemble d'appareils du fournisseur	8-PQFN (5x6)
Numéro de produit de base	FDMS86
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Série	PowerTrench®
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C	12.4A (Ta), 60A (Tc)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	55 nC @ 10 V
Fonction FET	-
Paquet/caisse	8-PowerTDFN
Vg (Max)	±20V
Type FET	N-Channel
Tension drain à source (Vdss)	100 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	3000 pF @ 50 V
Dissipation de puissance (maximale)	2.5W (Ta), 104W (Tc)
Autres noms	FDMS86101TR FDMS86101CT FDMS86101DKR