BSC105N10LSFGATMA1

JavaScript seems to be disabled in your browser. For the best experience on our site, be sure to turn on Javascript in your browser.

MOSFET N-CH 100V 11.4/90A 8TDSON

NOVA partie #:

312-2277818-BSC105N10LSFGATMA1

Fabricant::

Pièce de fabricant non:

BSC105N10LSFGATMA1

Paquet Standard:

5,000

Fiche technique:

Format de téléchargement disponible

aigle

OrCad

N-Channel 100 V 11.4A (Ta), 90A (Tc) 156W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-1

More Information
Catégorie de produits	Transistors - FET, MOSFET - Unique
Fabricant:	Infineon Technologies
RoHS	1
emballage	Tape & Reel (TR)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Ensemble d'appareils du fournisseur	PG-TDSON-8-1
Numéro de produit de base	BSC105
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Série	OptiMOS™
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C	11.4A (Ta), 90A (Tc)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	10.5mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.4V @ 110µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	53 nC @ 10 V
Fonction FET	-
Paquet/caisse	8-PowerTDFN
Vg (Max)	±20V
Type FET	N-Channel
Tension drain à source (Vdss)	100 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	3900 pF @ 50 V
Dissipation de puissance (maximale)	156W (Tc)
Autres noms	BSC105N10LSF G-ND BSC105N10LSFGATMA1DKR BSC105N10LSFGATMA1CT BSC105N10LSF G BSC105N10LSFGATMA1TR SP000388502