آلتیوم
عقاب
OrCad
پد ها
KiCad
SQP120N10-09_GE3
MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB
قسمت # NOVA:
312-2305745-SQP120N10-09_GE3
سازنده:
شماره قطعه سازنده:
SQP120N10-09_GE3
بسته استاندارد:
500
برگه اطلاعات فنی:
فرمت دانلود موجود
لطفا اطلاعات خود را در فرم پر کنید، ما با شما تماس خواهیم گرفت و در اسرع وقت مدل cad را به شما می دهیم.
N-Channel 100 V 120A (Tc) 375W (Tc) Through Hole TO-220AB
| دسته بندی | ترانزیستور - FET، ماسفت - تک | |
| سازنده | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| نوع نصب | Through Hole | |
| بسته دستگاه تامین کننده | TO-220AB | |
| شماره محصول پایه | SQP120 | |
| فن آوری | MOSFET (Metal Oxide) | |
| سلسله | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® | |
| جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25°C | 120A (Tc) | |
| ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن) | 10V | |
| Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs | 9.5mOhm @ 30A, 10V | |
| Vgs(th) (حداکثر) @ ID | 3.5V @ 250µA | |
| شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs | 180 nC @ 10 V | |
| ویژگی FET | - | |
| بسته / مورد | TO-220-3 | |
| Vgs (حداکثر) | ±20V | |
| نوع FET | N-Channel | |
| تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss) | 100 V | |
| ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds | 8645 pF @ 25 V | |
| اتلاف نیرو (حداکثر) | 375W (Tc) | |
| نامهای دیگر | SQP120N10-09_GE3TRINACTIVE SQP120N10-09_GE3CT-ND SQP120N10-09_GE3DKR-ND SQP120N10-09_GE3CT SQP120N10-09_GE3TR SQP120N10-09_GE3DKR SQP120N10-09_GE3DKRINACTIVE SQP120N10-09_GE3TR-ND |
In stock لطفا با ما تماس بگیرید
قیمتی که می خواهید نیست؟ فرم ها را پر کنید و ما در اسرع وقت با شما تماس خواهیم گرفت.
ما محصولات دیگری را پیدا کردیم که ممکن است دوست داشته باشید!
SML-H12D8TT86CRohm Semiconductor
218-2LPSTRCTS Electrocomponents
AM26C32QDRTexas Instruments
MC3225Z10.0000C19XSHKyocera AVX
ADM4853WARZ-RL7Analog Devices Inc.
