SI4840BDY-T1-E3

MOSFET N-CH 40V 19A 8SO
قسمت # NOVA:
312-2296934-SI4840BDY-T1-E3
سازنده:
شماره قطعه سازنده:
SI4840BDY-T1-E3
بسته استاندارد:
2,500
برگه اطلاعات فنی:

فرمت دانلود موجود

N-Channel 40 V 19A (Tc) 2.5W (Ta), 6W (Tc) Surface Mount 8-SOIC

More Information
دسته بندیترانزیستور - FET، ماسفت - تک
سازندهVishay Siliconix
RoHS 1
بسته بندیTape & Reel (TR)
دمای عملیاتی -55°C ~ 150°C (TJ)
نوع نصبSurface Mount
بسته دستگاه تامین کننده 8-SOIC
شماره محصول پایه SI4840
فن آوریMOSFET (Metal Oxide)
سلسلهTrenchFET®
جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25°C 19A (Tc)
ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن)4.5V, 10V
Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs 9mOhm @ 12.4A, 10V
Vgs(th) (حداکثر) @ ID 3V @ 250µA
شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs 50 nC @ 10 V
ویژگی FET-
بسته / مورد8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs (حداکثر)±20V
نوع FETN-Channel
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)40 V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds 2000 pF @ 20 V
اتلاف نیرو (حداکثر) 2.5W (Ta), 6W (Tc)
نامهای دیگرSI4840BDY-T1-E3DKR
SI4840BDYT1E3
SI4840BDY-T1-E3-ND
SI4840BDY-T1-E3TR
SI4840BDY-T1-E3CT

In stock لطفا با ما تماس بگیرید

Whatsapp

قیمتی که می خواهید نیست؟ فرم ها را پر کنید و ما در اسرع وقت با شما تماس خواهیم گرفت.

ما محصولات دیگری را پیدا کردیم که ممکن است دوست داشته باشید!