آلتیوم
عقاب
OrCad
پد ها
KiCad
IPD048N06L3GATMA1
MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
قسمت # NOVA:
312-2342490-IPD048N06L3GATMA1
سازنده:
شماره قطعه سازنده:
IPD048N06L3GATMA1
بسته استاندارد:
2,500
برگه اطلاعات فنی:
فرمت دانلود موجود
لطفا اطلاعات خود را در فرم پر کنید، ما با شما تماس خواهیم گرفت و در اسرع وقت مدل cad را به شما می دهیم.
N-Channel 60 V 90A (Tc) 115W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-311
| دسته بندی | ترانزیستور - FET، ماسفت - تک | |
| سازنده | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| بسته بندی | Tape & Reel (TR) | |
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| نوع نصب | Surface Mount | |
| بسته دستگاه تامین کننده | PG-TO252-3-311 | |
| فن آوری | MOSFET (Metal Oxide) | |
| سلسله | OptiMOS™ | |
| جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25°C | 90A (Tc) | |
| ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن) | 4.5V, 10V | |
| Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs | 4.8mOhm @ 90A, 10V | |
| Vgs(th) (حداکثر) @ ID | 2.2V @ 58µA | |
| شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs | 50 nC @ 4.5 V | |
| ویژگی FET | - | |
| بسته / مورد | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| Vgs (حداکثر) | ±20V | |
| نوع FET | N-Channel | |
| تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss) | 60 V | |
| ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds | 8400 pF @ 30 V | |
| اتلاف نیرو (حداکثر) | 115W (Tc) | |
| نامهای دیگر | 448-IPD048N06L3GATMA1TR SP005559924 |
In stock لطفا با ما تماس بگیرید
قیمتی که می خواهید نیست؟ فرم ها را پر کنید و ما در اسرع وقت با شما تماس خواهیم گرفت.