BSZ900N15NS3GATMA1

JavaScript seems to be disabled in your browser. For the best experience on our site, be sure to turn on Javascript in your browser.

MOSFET N-CH 150V 13A 8TSDSON

قسمت # NOVA:

312-2281367-BSZ900N15NS3GATMA1

سازنده:

شماره قطعه سازنده:

BSZ900N15NS3GATMA1

بسته استاندارد:

5,000

برگه اطلاعات فنی:

فرمت دانلود موجود

N-Channel 150 V 13A (Tc) 38W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8

More Information
دسته بندی	ترانزیستور - FET، ماسفت - تک
سازنده	Infineon Technologies
RoHS	1
بسته بندی	Tape & Reel (TR)
دمای عملیاتی	-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع نصب	Surface Mount
بسته دستگاه تامین کننده	PG-TSDSON-8
شماره محصول پایه	BSZ900
فن آوری	MOSFET (Metal Oxide)
سلسله	OptiMOS™
جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25°C	13A (Tc)
ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن)	8V, 10V
Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs	90mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (حداکثر) @ ID	4V @ 20µA
شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs	7 nC @ 10 V
ویژگی FET	-
بسته / مورد	8-PowerTDFN
Vgs (حداکثر)	±20V
نوع FET	N-Channel
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)	150 V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds	510 pF @ 75 V
اتلاف نیرو (حداکثر)	38W (Tc)
نامهای دیگر	BSZ900N15NS3 G BSZ900N15NS3 GCT-ND BSZ900N15NS3GATMA1TR BSZ900N15NS3 GCT BSZ900N15NS3 GDKR BSZ900N15NS3GATMA1DKR BSZ900N15NS3GATMA1CT BSZ900N15NS3 GDKR-ND SP000677866 BSZ900N15NS3 GTR-ND BSZ900N15NS3 G-ND