SI2336DS-T1-BE3

MOSFET N-CH 30V 4.3A/5.2A SOT23
قسمت # NOVA:
312-2294128-SI2336DS-T1-BE3
سازنده:
شماره قطعه سازنده:
SI2336DS-T1-BE3
بسته استاندارد:
3,000
برگه اطلاعات فنی:

فرمت دانلود موجود

N-Channel 30 V 4.3A (Ta), 5.2A (Tc) 1.25W (Ta), 1.8W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)

More Information
دسته بندیترانزیستور - FET، ماسفت - تک
سازندهVishay Siliconix
RoHS 1
بسته بندیTape & Reel (TR)
دمای عملیاتی -55°C ~ 150°C (TJ)
نوع نصبSurface Mount
بسته دستگاه تامین کننده SOT-23-3 (TO-236)
شماره محصول پایه SI2336
فن آوریMOSFET (Metal Oxide)
سلسلهTrenchFET®
جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25°C 4.3A (Ta), 5.2A (Tc)
ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن)1.8V, 4.5V
Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs 42mOhm @ 3.8A, 4.5V
Vgs(th) (حداکثر) @ ID 1V @ 250µA
شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs 15 nC @ 8 V
ویژگی FET-
بسته / موردTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vgs (حداکثر)±8V
نوع FETN-Channel
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)30 V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds 560 pF @ 15 V
اتلاف نیرو (حداکثر) 1.25W (Ta), 1.8W (Tc)
نامهای دیگر742-SI2336DS-T1-BE3DKR
742-SI2336DS-T1-BE3CT
742-SI2336DS-T1-BE3TR

In stock لطفا با ما تماس بگیرید

Whatsapp

قیمتی که می خواهید نیست؟ فرم ها را پر کنید و ما در اسرع وقت با شما تماس خواهیم گرفت.

ما محصولات دیگری را پیدا کردیم که ممکن است دوست داشته باشید!