آلتیوم
عقاب
OrCad
پد ها
KiCad
SIHD5N50D-GE3
MOSFET N-CH 500V 5.3A TO252AA
قسمت # NOVA:
312-2265209-SIHD5N50D-GE3
سازنده:
شماره قطعه سازنده:
SIHD5N50D-GE3
بسته استاندارد:
3,000
برگه اطلاعات فنی:
فرمت دانلود موجود
لطفا اطلاعات خود را در فرم پر کنید، ما با شما تماس خواهیم گرفت و در اسرع وقت مدل cad را به شما می دهیم.
N-Channel 500 V 5.3A (Tc) 104W (Tc) Surface Mount D-Pak
| دسته بندی | ترانزیستور - FET، ماسفت - تک | |
| سازنده | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| نوع نصب | Surface Mount | |
| بسته دستگاه تامین کننده | D-Pak | |
| شماره محصول پایه | SIHD5 | |
| فن آوری | MOSFET (Metal Oxide) | |
| سلسله | - | |
| جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25°C | 5.3A (Tc) | |
| ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن) | 10V | |
| Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs | 1.5Ohm @ 2.5A, 10V | |
| Vgs(th) (حداکثر) @ ID | 5V @ 250µA | |
| شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs | 20 nC @ 10 V | |
| ویژگی FET | - | |
| بسته / مورد | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| Vgs (حداکثر) | ±30V | |
| نوع FET | N-Channel | |
| تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss) | 500 V | |
| ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds | 325 pF @ 100 V | |
| اتلاف نیرو (حداکثر) | 104W (Tc) | |
| نامهای دیگر | SIHD5N50D-GE3DKR-ND SIHD5N50D-GE3DKRINACTIVE SIHD5N50D-GE3CT SIHD5N50D-GE3TR SIHD5N50D-GE3TRINACTIVE SIHD5N50DGE3 SIHD5N50D-GE3DKR SIHD5N50D-GE3TR-ND SIHD5N50D-GE3CT-ND |
In stock لطفا با ما تماس بگیرید
قیمتی که می خواهید نیست؟ فرم ها را پر کنید و ما در اسرع وقت با شما تماس خواهیم گرفت.
ما محصولات دیگری را پیدا کردیم که ممکن است دوست داشته باشید!
US1MDFQ-13Diodes Incorporated
IXTA10P50PIXYS
