SISA35DN-T1-GE3

JavaScript seems to be disabled in your browser. For the best experience on our site, be sure to turn on Javascript in your browser.

MOSFET P-CH 30V 10A/16A PPAK

قسمت # NOVA:

312-2284531-SISA35DN-T1-GE3

سازنده:

شماره قطعه سازنده:

SISA35DN-T1-GE3

بسته استاندارد:

3,000

برگه اطلاعات فنی:

فرمت دانلود موجود

OrCad

KiCad

P-Channel 30 V 10A (Ta), 16A (Tc) 3.2W (Ta), 24W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8

More Information
دسته بندی	ترانزیستور - FET، ماسفت - تک
سازنده	Vishay Siliconix
RoHS	1
بسته بندی	Tape & Reel (TR)
دمای عملیاتی	-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع نصب	Surface Mount
بسته دستگاه تامین کننده	PowerPAK® 1212-8
شماره محصول پایه	SISA35
فن آوری	MOSFET (Metal Oxide)
سلسله	TrenchFET® Gen III
جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25°C	10A (Ta), 16A (Tc)
ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن)	4.5V, 10V
Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs	19mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (حداکثر) @ ID	2.2V @ 250µA
شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs	42 nC @ 10 V
ویژگی FET	-
بسته / مورد	PowerPAK® 1212-8
Vgs (حداکثر)	±20V
نوع FET	P-Channel
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)	30 V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds	1500 pF @ 15 V
اتلاف نیرو (حداکثر)	3.2W (Ta), 24W (Tc)
نامهای دیگر	742-SISA35DN-T1-GE3DKR 742-SISA35DN-T1-GE3CT 742-SISA35DN-T1-GE3TR