SI7114ADN-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 35A PPAK 1212-8
قسمت # NOVA:
312-2274984-SI7114ADN-T1-GE3
سازنده:
شماره قطعه سازنده:
SI7114ADN-T1-GE3
بسته استاندارد:
3,000
برگه اطلاعات فنی:

فرمت دانلود موجود

N-Channel 30 V 35A (Tc) 3.7W (Ta), 39W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8

More Information
دسته بندیترانزیستور - FET، ماسفت - تک
سازندهVishay Siliconix
RoHS 1
بسته بندیTape & Reel (TR)
دمای عملیاتی -55°C ~ 150°C (TJ)
نوع نصبSurface Mount
بسته دستگاه تامین کننده PowerPAK® 1212-8
شماره محصول پایه SI7114
فن آوریMOSFET (Metal Oxide)
سلسلهTrenchFET®
جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25°C 35A (Tc)
ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن)4.5V, 10V
Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs 7.5mOhm @ 18A, 10V
Vgs(th) (حداکثر) @ ID 2.5V @ 250µA
شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs 32 nC @ 10 V
ویژگی FET-
بسته / موردPowerPAK® 1212-8
Vgs (حداکثر)±20V
نوع FETN-Channel
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)30 V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds 1230 pF @ 15 V
اتلاف نیرو (حداکثر) 3.7W (Ta), 39W (Tc)
نامهای دیگرSI7114ADNT1GE3
SI7114ADN-T1-GE3TR
SI7114ADN-T1-GE3-ND
SI7114ADN-T1-GE3CT
SI7114ADN-T1-GE3DKR

In stock لطفا با ما تماس بگیرید

Whatsapp

قیمتی که می خواهید نیست؟ فرم ها را پر کنید و ما در اسرع وقت با شما تماس خواهیم گرفت.