IPD95R2K0P7ATMA1

JavaScript seems to be disabled in your browser. For the best experience on our site, be sure to turn on Javascript in your browser.

MOSFET N-CH 950V 4A TO252-3

قسمت # NOVA:

312-2288001-IPD95R2K0P7ATMA1

سازنده:

شماره قطعه سازنده:

IPD95R2K0P7ATMA1

بسته استاندارد:

2,500

برگه اطلاعات فنی:

فرمت دانلود موجود

OrCad

KiCad

N-Channel 950 V 4A (Tc) 37W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3

More Information
دسته بندی	ترانزیستور - FET، ماسفت - تک
سازنده	Infineon Technologies
RoHS	1
بسته بندی	Tape & Reel (TR)
دمای عملیاتی	-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع نصب	Surface Mount
بسته دستگاه تامین کننده	PG-TO252-3
شماره محصول پایه	IPD95R2
فن آوری	MOSFET (Metal Oxide)
سلسله	CoolMOS™ P7
جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25°C	4A (Tc)
ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن)	10V
Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs	2Ohm @ 1.7A, 10V
Vgs(th) (حداکثر) @ ID	3.5V @ 80µA
شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs	10 nC @ 10 V
ویژگی FET	-
بسته / مورد	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs (حداکثر)	±20V
نوع FET	N-Channel
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)	950 V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds	330 pF @ 400 V
اتلاف نیرو (حداکثر)	37W (Tc)
نامهای دیگر	IPD95R2K0P7ATMA1DKR IPD95R2K0P7ATMA1CT SP001819720 IPD95R2K0P7ATMA1TR