آلتیوم
عقاب
OrCad
پد ها
KiCad
IPP90R1K2C3XKSA2
MOSFET N-CH 900V 5.1A TO220-3
قسمت # NOVA:
312-2306549-IPP90R1K2C3XKSA2
سازنده:
شماره قطعه سازنده:
IPP90R1K2C3XKSA2
بسته استاندارد:
500
برگه اطلاعات فنی:
فرمت دانلود موجود
لطفا اطلاعات خود را در فرم پر کنید، ما با شما تماس خواهیم گرفت و در اسرع وقت مدل cad را به شما می دهیم.
N-Channel 900 V 5.1A (Tc) 83W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
| دسته بندی | ترانزیستور - FET، ماسفت - تک | |
| سازنده | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| نوع نصب | Through Hole | |
| بسته دستگاه تامین کننده | PG-TO220-3-1 | |
| شماره محصول پایه | IPP90R1 | |
| فن آوری | MOSFET (Metal Oxide) | |
| سلسله | CoolMOS™ | |
| جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25°C | 5.1A (Tc) | |
| ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن) | 10V | |
| Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs | 1.2Ohm @ 2.8A, 10V | |
| Vgs(th) (حداکثر) @ ID | 3.5V @ 310µA | |
| شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs | 28 nC @ 10 V | |
| ویژگی FET | - | |
| بسته / مورد | TO-220-3 | |
| Vgs (حداکثر) | ±20V | |
| نوع FET | N-Channel | |
| تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss) | 900 V | |
| ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds | 710 pF @ 100 V | |
| اتلاف نیرو (حداکثر) | 83W (Tc) | |
| نامهای دیگر | SP002548894 |
In stock لطفا با ما تماس بگیرید
قیمتی که می خواهید نیست؟ فرم ها را پر کنید و ما در اسرع وقت با شما تماس خواهیم گرفت.
ما محصولات دیگری را پیدا کردیم که ممکن است دوست داشته باشید!
FQA11N90C-F109onsemi
