NVH4L080N120SC1

JavaScript seems to be disabled in your browser. For the best experience on our site, be sure to turn on Javascript in your browser.

SICFET N-CH 1200V 29A TO247-4

قسمت # NOVA:

312-2299462-NVH4L080N120SC1

سازنده:

شماره قطعه سازنده:

NVH4L080N120SC1

بسته استاندارد:

450

برگه اطلاعات فنی:

فرمت دانلود موجود

OrCad

KiCad

N-Channel 1200 V 29A (Tc) 170mW (Tc) Through Hole TO-247-4L

More Information
دسته بندی	ترانزیستور - FET، ماسفت - تک
سازنده	onsemi
RoHS	1
دمای عملیاتی	-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع نصب	Through Hole
بسته دستگاه تامین کننده	TO-247-4L
شماره محصول پایه	NVH4L080
فن آوری	SiCFET (Silicon Carbide)
سلسله	Automotive, AEC-Q101
جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25°C	29A (Tc)
ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن)	20V
Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs	110mOhm @ 20A, 20V
Vgs(th) (حداکثر) @ ID	4.3V @ 5mA
شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs	56 nC @ 20 V
ویژگی FET	-
بسته / مورد	TO-247-4
Vgs (حداکثر)	+25V, -15V
نوع FET	N-Channel
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)	1200 V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds	1670 pF @ 800 V
اتلاف نیرو (حداکثر)	170mW (Tc)
نامهای دیگر	488-NVH4L080N120SC1