G3R40MT12D

SIC MOSFET N-CH 71A TO247-3
قسمت # NOVA:
312-2265006-G3R40MT12D
شماره قطعه سازنده:
G3R40MT12D
بسته استاندارد:
30
برگه اطلاعات فنی:

فرمت دانلود موجود

N-Channel 1200 V 71A (Tc) 333W (Tc) Through Hole TO-247-3

More Information
دسته بندیترانزیستور - FET، ماسفت - تک
سازندهGeneSiC Semiconductor
RoHS 1
دمای عملیاتی -55°C ~ 175°C (TJ)
نوع نصبThrough Hole
بسته دستگاه تامین کننده TO-247-3
شماره محصول پایه G3R40
فن آوریSiCFET (Silicon Carbide)
سلسلهG3R™
جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25°C 71A (Tc)
ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن)15V
Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs 48mOhm @ 35A, 15V
Vgs(th) (حداکثر) @ ID 2.69V @ 10mA
شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs 106 nC @ 15 V
ویژگی FET-
بسته / موردTO-247-3
Vgs (حداکثر)±15V
نوع FETN-Channel
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)1200 V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds 2929 pF @ 800 V
اتلاف نیرو (حداکثر) 333W (Tc)
نامهای دیگر1242-G3R40MT12D

In stock لطفا با ما تماس بگیرید

Whatsapp

قیمتی که می خواهید نیست؟ فرم ها را پر کنید و ما در اسرع وقت با شما تماس خواهیم گرفت.

ما محصولات دیگری را پیدا کردیم که ممکن است دوست داشته باشید!