SI2323DS-T1-E3

MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23-3
قسمت # NOVA:
312-2281136-SI2323DS-T1-E3
سازنده:
شماره قطعه سازنده:
SI2323DS-T1-E3
بسته استاندارد:
3,000
برگه اطلاعات فنی:

فرمت دانلود موجود

P-Channel 20 V 3.7A (Ta) 750mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)

More Information
دسته بندیترانزیستور - FET، ماسفت - تک
سازندهVishay Siliconix
RoHS 1
بسته بندیTape & Reel (TR)
دمای عملیاتی -55°C ~ 150°C (TJ)
نوع نصبSurface Mount
بسته دستگاه تامین کننده SOT-23-3 (TO-236)
شماره محصول پایه SI2323
فن آوریMOSFET (Metal Oxide)
سلسلهTrenchFET®
جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25°C 3.7A (Ta)
ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن)1.8V, 4.5V
Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs 39mOhm @ 4.7A, 4.5V
Vgs(th) (حداکثر) @ ID 1V @ 250µA
شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs 19 nC @ 4.5 V
ویژگی FET-
بسته / موردTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vgs (حداکثر)±8V
نوع FETP-Channel
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)20 V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds 1020 pF @ 10 V
اتلاف نیرو (حداکثر) 750mW (Ta)
نامهای دیگرSI2323DS-T1-E3TR
SI2323DST1E3
SI2323DS-T1-E3DKR
SI2323DS-T1-E3CT
Q6936817FO

In stock لطفا با ما تماس بگیرید

Whatsapp

قیمتی که می خواهید نیست؟ فرم ها را پر کنید و ما در اسرع وقت با شما تماس خواهیم گرفت.

ما محصولات دیگری را پیدا کردیم که ممکن است دوست داشته باشید!