TPH1R712MD,L1Q

MOSFET P-CH 20V 60A 8SOP
قسمت # NOVA:
312-2280697-TPH1R712MD,L1Q
شماره قطعه سازنده:
TPH1R712MD,L1Q
بسته استاندارد:
5,000
برگه اطلاعات فنی:

فرمت دانلود موجود

P-Channel 20 V 60A (Tc) 78W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5)

More Information
دسته بندیترانزیستور - FET، ماسفت - تک
سازندهToshiba Semiconductor and Storage
RoHS 1
بسته بندیTape & Reel (TR)
دمای عملیاتی 150°C (TJ)
نوع نصبSurface Mount
بسته دستگاه تامین کننده 8-SOP Advance (5x5)
شماره محصول پایه TPH1R712
فن آوریMOSFET (Metal Oxide)
سلسلهU-MOSVI
جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25°C 60A (Tc)
ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن)2.5V, 4.5V
Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs 1.7mOhm @ 30A, 4.5V
Vgs(th) (حداکثر) @ ID 1.2V @ 1mA
شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs 182 nC @ 5 V
ویژگی FET-
بسته / مورد8-PowerVDFN
Vgs (حداکثر)±12V
نوع FETP-Channel
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)20 V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds 10900 pF @ 10 V
اتلاف نیرو (حداکثر) 78W (Tc)
نامهای دیگرTPH1R712MD,L1Q(M
TPH1R712MDL1QDKR
TPH1R712MDL1QTR
TPH1R712MDL1QCT

In stock نیاز بیشتری؟

‎$۱٫۷۹۴۶۰
Whatsapp

قیمتی که می خواهید نیست؟ فرم ها را پر کنید و ما در اسرع وقت با شما تماس خواهیم گرفت.

ما محصولات دیگری را پیدا کردیم که ممکن است دوست داشته باشید!