SIR574DP-T1-RE3

N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET POW
قسمت # NOVA:
312-2296927-SIR574DP-T1-RE3
سازنده:
شماره قطعه سازنده:
SIR574DP-T1-RE3
بسته استاندارد:
3,000
برگه اطلاعات فنی:

فرمت دانلود موجود

N-Channel 150 V 12.1A (Ta), 48.1A (Tc) 5W (Ta), 78W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8

More Information
دسته بندیترانزیستور - FET، ماسفت - تک
سازندهVishay Siliconix
RoHS 1
بسته بندیTape & Reel (TR)
دمای عملیاتی -55°C ~ 150°C (TJ)
نوع نصبSurface Mount
بسته دستگاه تامین کننده PowerPAK® SO-8
فن آوریMOSFET (Metal Oxide)
سلسلهTrenchFET® Gen IV
جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25°C 12.1A (Ta), 48.1A (Tc)
ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن)7.5V, 10V
Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs 13.5mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (حداکثر) @ ID 4V @ 250µA
شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs 48 nC @ 10 V
ویژگی FET-
بسته / موردPowerPAK® SO-8
Vgs (حداکثر)±20V
نوع FETN-Channel
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)150 V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds 2300 pF @ 75 V
اتلاف نیرو (حداکثر) 5W (Ta), 78W (Tc)
نامهای دیگر742-SIR574DP-T1-RE3DKR
742-SIR574DP-T1-RE3CT
742-SIR574DP-T1-RE3TR

In stock لطفا با ما تماس بگیرید

Whatsapp

قیمتی که می خواهید نیست؟ فرم ها را پر کنید و ما در اسرع وقت با شما تماس خواهیم گرفت.