IXFN110N85X

JavaScript seems to be disabled in your browser. For the best experience on our site, be sure to turn on Javascript in your browser.

MOSFET N-CH 850V 110A SOT227B

قسمت # NOVA:

312-2291962-IXFN110N85X

سازنده:

شماره قطعه سازنده:

IXFN110N85X

بسته استاندارد:

برگه اطلاعات فنی:

فرمت دانلود موجود

OrCad

KiCad

N-Channel 850 V 110A (Tc) 1170W (Tc) Chassis Mount SOT-227B

More Information
دسته بندی	ترانزیستور - FET، ماسفت - تک
سازنده	IXYS
RoHS	1
دمای عملیاتی	-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع نصب	Chassis Mount
بسته دستگاه تامین کننده	SOT-227B
شماره محصول پایه	IXFN110
فن آوری	MOSFET (Metal Oxide)
سلسله	HiPerFET™, Ultra X
جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25°C	110A (Tc)
ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن)	10V
Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs	33mOhm @ 55A, 10V
Vgs(th) (حداکثر) @ ID	5.5V @ 8mA
شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs	425 nC @ 10 V
ویژگی FET	-
بسته / مورد	SOT-227-4, miniBLOC
Vgs (حداکثر)	±30V
نوع FET	N-Channel
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)	850 V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds	17000 pF @ 25 V
اتلاف نیرو (حداکثر)	1170W (Tc)

In stock لطفا با ما تماس بگیرید

قیمتی که می خواهید نیست؟ فرم ها را پر کنید و ما در اسرع وقت با شما تماس خواهیم گرفت.

ما محصولات دیگری را پیدا کردیم که ممکن است دوست داشته باشید!