SI7115DN-T1-GE3

JavaScript seems to be disabled in your browser. For the best experience on our site, be sure to turn on Javascript in your browser.

MOSFET P-CH 150V 8.9A PPAK1212-8

قسمت # NOVA:

312-2281375-SI7115DN-T1-GE3

سازنده:

شماره قطعه سازنده:

SI7115DN-T1-GE3

بسته استاندارد:

3,000

برگه اطلاعات فنی:

فرمت دانلود موجود

OrCad

KiCad

P-Channel 150 V 8.9A (Tc) 3.7W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8

More Information
دسته بندی	ترانزیستور - FET، ماسفت - تک
سازنده	Vishay Siliconix
RoHS	1
بسته بندی	Tape & Reel (TR)
دمای عملیاتی	-50°C ~ 150°C (TJ)
نوع نصب	Surface Mount
بسته دستگاه تامین کننده	PowerPAK® 1212-8
شماره محصول پایه	SI7115
فن آوری	MOSFET (Metal Oxide)
سلسله	TrenchFET®
جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25°C	8.9A (Tc)
ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن)	6V, 10V
Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs	295mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (حداکثر) @ ID	4V @ 250µA
شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs	42 nC @ 10 V
ویژگی FET	-
بسته / مورد	PowerPAK® 1212-8
Vgs (حداکثر)	±20V
نوع FET	P-Channel
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)	150 V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds	1190 pF @ 50 V
اتلاف نیرو (حداکثر)	3.7W (Ta), 52W (Tc)
نامهای دیگر	SI7115DN-T1-GE3DKR SI7115DN-T1-GE3CT SI7115DN-T1-GE3TR SI7115DNT1GE3