IPL60R185P7AUMA1

JavaScript seems to be disabled in your browser. For the best experience on our site, be sure to turn on Javascript in your browser.

MOSFET N-CH 650V 19A 4VSON

قسمت # NOVA:

312-2288819-IPL60R185P7AUMA1

سازنده:

شماره قطعه سازنده:

IPL60R185P7AUMA1

بسته استاندارد:

3,000

برگه اطلاعات فنی:

فرمت دانلود موجود

N-Channel 650 V 19A (Tc) 81W (Tc) Surface Mount PG-VSON-4

More Information
دسته بندی	ترانزیستور - FET، ماسفت - تک
سازنده	Infineon Technologies
RoHS	1
بسته بندی	Tape & Reel (TR)
دمای عملیاتی	-40°C ~ 150°C (TJ)
نوع نصب	Surface Mount
بسته دستگاه تامین کننده	PG-VSON-4
شماره محصول پایه	IPL60R185
فن آوری	MOSFET (Metal Oxide)
سلسله	CoolMOS™ P7
جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25°C	19A (Tc)
ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن)	10V
Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs	185mOhm @ 5.6A, 10V
Vgs(th) (حداکثر) @ ID	4V @ 280µA
شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs	25 nC @ 10 V
ویژگی FET	-
بسته / مورد	4-PowerTSFN
Vgs (حداکثر)	±20V
نوع FET	N-Channel
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)	650 V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds	1081 pF @ 400 V
اتلاف نیرو (حداکثر)	81W (Tc)
نامهای دیگر	2156-IPL60R185P7AUMA1 SP001606056 IFEINFIPL60R185P7AUMA1 IPL60R185P7AUMA1CT IPL60R185P7AUMA1DKR IPL60R185P7AUMA1TR

In stock لطفا با ما تماس بگیرید

قیمتی که می خواهید نیست؟ فرم ها را پر کنید و ما در اسرع وقت با شما تماس خواهیم گرفت.

ما محصولات دیگری را پیدا کردیم که ممکن است دوست داشته باشید!