RQ3E120ATTB

JavaScript seems to be disabled in your browser. For the best experience on our site, be sure to turn on Javascript in your browser.

MOSFET P-CH 30V 12A 8HSMT

قسمت # NOVA:

312-2285248-RQ3E120ATTB

سازنده:

شماره قطعه سازنده:

RQ3E120ATTB

بسته استاندارد:

3,000

برگه اطلاعات فنی:

فرمت دانلود موجود

OrCad

KiCad

P-Channel 30 V 12A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 8-HSMT (3.2x3)

More Information
دسته بندی	ترانزیستور - FET، ماسفت - تک
سازنده	Rohm Semiconductor
RoHS	1
بسته بندی	Tape & Reel (TR)
دمای عملیاتی	150°C (TJ)
نوع نصب	Surface Mount
بسته دستگاه تامین کننده	8-HSMT (3.2x3)
شماره محصول پایه	RQ3E120
فن آوری	MOSFET (Metal Oxide)
سلسله	-
جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25°C	12A (Ta)
ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن)	4.5V, 10V
Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs	8mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (حداکثر) @ ID	2.5V @ 1mA
شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs	62 nC @ 10 V
ویژگی FET	-
بسته / مورد	8-PowerVDFN
Vgs (حداکثر)	±20V
نوع FET	P-Channel
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)	30 V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds	3200 pF @ 15 V
اتلاف نیرو (حداکثر)	2W (Ta)
نامهای دیگر	RQ3E120ATTBTR RQ3E120ATTBCT RQ3E120ATTBDKR