SI1062X-T1-GE3

JavaScript seems to be disabled in your browser. For the best experience on our site, be sure to turn on Javascript in your browser.

MOSFET N-CH 20V SC89-3

قسمت # NOVA:

312-2281323-SI1062X-T1-GE3

سازنده:

شماره قطعه سازنده:

SI1062X-T1-GE3

بسته استاندارد:

3,000

برگه اطلاعات فنی:

فرمت دانلود موجود

OrCad

KiCad

N-Channel 20 V 530mA (Ta) 220mW (Ta) Surface Mount SC-89-3

More Information
دسته بندی	ترانزیستور - FET، ماسفت - تک
سازنده	Vishay Siliconix
RoHS	1
بسته بندی	Tape & Reel (TR)
دمای عملیاتی	-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع نصب	Surface Mount
بسته دستگاه تامین کننده	SC-89-3
شماره محصول پایه	SI1062
فن آوری	MOSFET (Metal Oxide)
سلسله	TrenchFET®
جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25°C	530mA (Ta)
ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن)	1.5V, 4.5V
Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs	420mOhm @ 500mA, 4.5V
Vgs(th) (حداکثر) @ ID	1V @ 250µA
شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs	2.7 nC @ 8 V
ویژگی FET	-
بسته / مورد	SC-89, SOT-490
Vgs (حداکثر)	±8V
نوع FET	N-Channel
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)	20 V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds	43 pF @ 10 V
اتلاف نیرو (حداکثر)	220mW (Ta)
نامهای دیگر	SI1062XT1GE3 SI1062X-T1-GE3TR SI1062X-T1-GE3CT SI1062X-T1-GE3DKR