IPD30N06S2L23ATMA3

JavaScript seems to be disabled in your browser. For the best experience on our site, be sure to turn on Javascript in your browser.

MOSFET N-CH 55V 30A TO252-31

قسمت # NOVA:

312-2287857-IPD30N06S2L23ATMA3

سازنده:

شماره قطعه سازنده:

IPD30N06S2L23ATMA3

بسته استاندارد:

2,500

برگه اطلاعات فنی:

فرمت دانلود موجود

OrCad

KiCad

N-Channel 55 V 30A (Tc) 100W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11

More Information
دسته بندی	ترانزیستور - FET، ماسفت - تک
سازنده	Infineon Technologies
RoHS	1
بسته بندی	Tape & Reel (TR)
دمای عملیاتی	-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع نصب	Surface Mount
بسته دستگاه تامین کننده	PG-TO252-3-11
شماره محصول پایه	IPD30N06
فن آوری	MOSFET (Metal Oxide)
سلسله	OptiMOS™
جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25°C	30A (Tc)
ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن)	4.5V, 10V
Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs	23mOhm @ 22A, 10V
Vgs(th) (حداکثر) @ ID	2V @ 50µA
شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs	42 nC @ 10 V
ویژگی FET	-
بسته / مورد	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs (حداکثر)	±20V
نوع FET	N-Channel
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)	55 V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds	1091 pF @ 25 V
اتلاف نیرو (حداکثر)	100W (Tc)
نامهای دیگر	IPD30N06S2L23ATMA3CT IPD30N06S2L23ATMA3DKR 2156-IPD30N06S2L23ATMA3 SP001061286 IPD30N06S2L23ATMA3-ND IPD30N06S2L23ATMA3TR INFINFIPD30N06S2L23ATMA3