SI2316BDS-T1-E3

MOSFET N-CH 30V 4.5A SOT23-3
قسمت # NOVA:
312-2285383-SI2316BDS-T1-E3
سازنده:
شماره قطعه سازنده:
SI2316BDS-T1-E3
بسته استاندارد:
3,000
برگه اطلاعات فنی:

فرمت دانلود موجود

N-Channel 30 V 4.5A (Tc) 1.25W (Ta), 1.66W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)

More Information
دسته بندیترانزیستور - FET، ماسفت - تک
سازندهVishay Siliconix
RoHS 1
بسته بندیTape & Reel (TR)
دمای عملیاتی -55°C ~ 150°C (TJ)
نوع نصبSurface Mount
بسته دستگاه تامین کننده SOT-23-3 (TO-236)
شماره محصول پایه SI2316
فن آوریMOSFET (Metal Oxide)
سلسلهTrenchFET®
جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25°C 4.5A (Tc)
ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن)4.5V, 10V
Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs 50mOhm @ 3.9A, 10V
Vgs(th) (حداکثر) @ ID 3V @ 250µA
شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs 9.6 nC @ 10 V
ویژگی FET-
بسته / موردTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vgs (حداکثر)±20V
نوع FETN-Channel
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)30 V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds 350 pF @ 15 V
اتلاف نیرو (حداکثر) 1.25W (Ta), 1.66W (Tc)
نامهای دیگرSI2316BDS-T1-E3-ND
SI2316BDST1E3
SI2316BDS-T1-E3CT
SI2316BDS-T1-E3TR
SI2316BDS-T1-E3DKR

In stock لطفا با ما تماس بگیرید

Whatsapp

قیمتی که می خواهید نیست؟ فرم ها را پر کنید و ما در اسرع وقت با شما تماس خواهیم گرفت.