SPD18P06PGBTMA1

JavaScript seems to be disabled in your browser. For the best experience on our site, be sure to turn on Javascript in your browser.

MOSFET P-CH 60V 18.6A TO252-3

قسمت # NOVA:

312-2361603-SPD18P06PGBTMA1

سازنده:

شماره قطعه سازنده:

SPD18P06PGBTMA1

بسته استاندارد:

2,500

برگه اطلاعات فنی:

فرمت دانلود موجود

OrCad

KiCad

P-Channel 60 V 18.6A (Tc) 80W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3

More Information
دسته بندی	ترانزیستور - FET، ماسفت - تک
سازنده	Infineon Technologies
RoHS	1
بسته بندی	Tape & Reel (TR)
دمای عملیاتی	-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع نصب	Surface Mount
بسته دستگاه تامین کننده	PG-TO252-3
شماره محصول پایه	SPD18P06
فن آوری	MOSFET (Metal Oxide)
سلسله	SIPMOS®
جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25°C	18.6A (Tc)
ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن)	10V
Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs	130mOhm @ 13.2A, 10V
Vgs(th) (حداکثر) @ ID	4V @ 1mA
شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs	33 nC @ 10 V
ویژگی FET	-
بسته / مورد	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs (حداکثر)	±20V
نوع FET	P-Channel
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)	60 V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds	860 pF @ 25 V
اتلاف نیرو (حداکثر)	80W (Tc)
نامهای دیگر	SPD18P06P G SPD18P06P G-ND SPD18P06P GTR-ND SPD18P06P GCT-ND SPD18P06P GDKR-ND SPD18P06PGBTMA1DKR SPD18P06P GDKR SPD18P06PGBTMA1CT SPD18P06P GCT SPD18P06PG SPD18P06PGBTMA1TR SP000443926