SQJ415EP-T1_GE3

MOSFET P-CH 40V 30A PPAK SO-8
قسمت # NOVA:
312-2285521-SQJ415EP-T1_GE3
سازنده:
شماره قطعه سازنده:
SQJ415EP-T1_GE3
بسته استاندارد:
3,000
برگه اطلاعات فنی:

فرمت دانلود موجود

P-Channel 40 V 30A (Tc) 45W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual

More Information
دسته بندیترانزیستور - FET، ماسفت - تک
سازندهVishay Siliconix
RoHS 1
بسته بندیTape & Reel (TR)
دمای عملیاتی -55°C ~ 175°C (TJ)
نوع نصبSurface Mount
بسته دستگاه تامین کننده PowerPAK® SO-8 Dual
شماره محصول پایه SQJ415
فن آوریMOSFET (Metal Oxide)
سلسلهAutomotive, AEC-Q101, TrenchFET®
جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25°C 30A (Tc)
ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن)4.5V, 10V
Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs 14mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (حداکثر) @ ID 2.5V @ 250µA
شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs 95 nC @ 10 V
ویژگی FET-
بسته / موردPowerPAK® SO-8 Dual
Vgs (حداکثر)±20V
نوع FETP-Channel
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)40 V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds 6000 pF @ 25 V
اتلاف نیرو (حداکثر) 45W (Tc)
نامهای دیگرSQJ415EP-T1_GE3TR
SQJ415EP-T1_GE3DKR
SQJ415EP-T1_GE3CT

In stock نیاز بیشتری؟

‎$۰٫۸۴۰۰۰
Whatsapp

قیمتی که می خواهید نیست؟ فرم ها را پر کنید و ما در اسرع وقت با شما تماس خواهیم گرفت.

ما محصولات دیگری را پیدا کردیم که ممکن است دوست داشته باشید!