SQM60N20-35_GE3

MOSFET N-CH 200V 60A TO263
قسمت # NOVA:
312-2274222-SQM60N20-35_GE3
سازنده:
شماره قطعه سازنده:
SQM60N20-35_GE3
بسته استاندارد:
800
برگه اطلاعات فنی:

فرمت دانلود موجود

N-Channel 200 V 60A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount TO-263 (D²Pak)

More Information
دسته بندیترانزیستور - FET، ماسفت - تک
سازندهVishay Siliconix
RoHS 1
بسته بندیTape & Reel (TR)
دمای عملیاتی -55°C ~ 175°C (TJ)
نوع نصبSurface Mount
بسته دستگاه تامین کننده TO-263 (D²Pak)
شماره محصول پایه SQM60
فن آوریMOSFET (Metal Oxide)
سلسلهAutomotive, AEC-Q101, TrenchFET®
جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25°C 60A (Tc)
ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن)10V
Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs 35mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (حداکثر) @ ID 3.5V @ 250µA
شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs 135 nC @ 10 V
ویژگی FET-
بسته / موردTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs (حداکثر)±20V
نوع FETN-Channel
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)200 V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds 5850 pF @ 25 V
اتلاف نیرو (حداکثر) 375W (Tc)
نامهای دیگرSQM60N20-35_GE3CT
SQM60N20-35_GE3TR
SQM60N20-35_GE3DKR
SQM60N20-35_GE3-ND

In stock لطفا با ما تماس بگیرید

Whatsapp

قیمتی که می خواهید نیست؟ فرم ها را پر کنید و ما در اسرع وقت با شما تماس خواهیم گرفت.

ما محصولات دیگری را پیدا کردیم که ممکن است دوست داشته باشید!