SI2318CDS-T1-GE3

JavaScript seems to be disabled in your browser. For the best experience on our site, be sure to turn on Javascript in your browser.

MOSFET N-CH 40V 5.6A SOT23-3

قسمت # NOVA:

312-2282006-SI2318CDS-T1-GE3

سازنده:

شماره قطعه سازنده:

SI2318CDS-T1-GE3

بسته استاندارد:

3,000

برگه اطلاعات فنی:

فرمت دانلود موجود

N-Channel 40 V 5.6A (Tc) 1.25W (Ta), 2.1W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)

More Information
دسته بندی	ترانزیستور - FET، ماسفت - تک
سازنده	Vishay Siliconix
RoHS	1
بسته بندی	Tape & Reel (TR)
دمای عملیاتی	-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع نصب	Surface Mount
بسته دستگاه تامین کننده	SOT-23-3 (TO-236)
شماره محصول پایه	SI2318
فن آوری	MOSFET (Metal Oxide)
سلسله	TrenchFET®
جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25°C	5.6A (Tc)
ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن)	4.5V, 10V
Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs	42mOhm @ 4.3A, 10V
Vgs(th) (حداکثر) @ ID	2.5V @ 250µA
شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs	9 nC @ 10 V
ویژگی FET	-
بسته / مورد	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vgs (حداکثر)	±20V
نوع FET	N-Channel
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)	40 V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds	340 pF @ 20 V
اتلاف نیرو (حداکثر)	1.25W (Ta), 2.1W (Tc)
نامهای دیگر	SI2318CDS-T1-GE3TR SI2318CDS-T1-GE3CT SI2318CDST1GE3 SI2318CDS-T1-GE3DKR