SISS27DN-T1-GE3

JavaScript seems to be disabled in your browser. For the best experience on our site, be sure to turn on Javascript in your browser.

MOSFET P-CH 30V 50A PPAK 1212-8S

قسمت # NOVA:

312-2281986-SISS27DN-T1-GE3

سازنده:

شماره قطعه سازنده:

SISS27DN-T1-GE3

بسته استاندارد:

3,000

برگه اطلاعات فنی:

فرمت دانلود موجود

OrCad

KiCad

P-Channel 30 V 50A (Tc) 4.8W (Ta), 57W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8S

More Information
دسته بندی	ترانزیستور - FET، ماسفت - تک
سازنده	Vishay Siliconix
RoHS	1
بسته بندی	Tape & Reel (TR)
دمای عملیاتی	-50°C ~ 150°C (TJ)
نوع نصب	Surface Mount
بسته دستگاه تامین کننده	PowerPAK® 1212-8S
شماره محصول پایه	SISS27
فن آوری	MOSFET (Metal Oxide)
سلسله	TrenchFET®
جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25°C	50A (Tc)
ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن)	4.5V, 10V
Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs	5.6mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (حداکثر) @ ID	2.2V @ 250µA
شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs	140 nC @ 10 V
ویژگی FET	-
بسته / مورد	PowerPAK® 1212-8S
Vgs (حداکثر)	±20V
نوع FET	P-Channel
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)	30 V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds	5250 pF @ 15 V
اتلاف نیرو (حداکثر)	4.8W (Ta), 57W (Tc)
نامهای دیگر	SISS27DN-T1-GE3DKR SISS27DN-T1-GE3CT SISS27DN-T1-GE3TR