آلتیوم
عقاب
OrCad
پد ها
KiCad
IXTH2N170D2
MOSFET N-CH 1700V 2A TO247
قسمت # NOVA:
312-2278472-IXTH2N170D2
سازنده:
شماره قطعه سازنده:
IXTH2N170D2
بسته استاندارد:
30
برگه اطلاعات فنی:
فرمت دانلود موجود
لطفا اطلاعات خود را در فرم پر کنید، ما با شما تماس خواهیم گرفت و در اسرع وقت مدل cad را به شما می دهیم.
N-Channel 1700 V 2A (Tj) 568W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH)
| دسته بندی | ترانزیستور - FET، ماسفت - تک | |
| سازنده | IXYS | |
| RoHS | 1 | |
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| نوع نصب | Through Hole | |
| بسته دستگاه تامین کننده | TO-247 (IXTH) | |
| شماره محصول پایه | IXTH2 | |
| فن آوری | MOSFET (Metal Oxide) | |
| سلسله | Depletion | |
| جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25°C | 2A (Tj) | |
| ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن) | 0V | |
| Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs | 6.5Ohm @ 1A, 0V | |
| Vgs(th) (حداکثر) @ ID | - | |
| شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs | 110 nC @ 5 V | |
| ویژگی FET | Depletion Mode | |
| بسته / مورد | TO-247-3 | |
| Vgs (حداکثر) | ±20V | |
| نوع FET | N-Channel | |
| تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss) | 1700 V | |
| ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds | 3650 pF @ 10 V | |
| اتلاف نیرو (حداکثر) | 568W (Tc) |
In stock لطفا با ما تماس بگیرید
قیمتی که می خواهید نیست؟ فرم ها را پر کنید و ما در اسرع وقت با شما تماس خواهیم گرفت.
ما محصولات دیگری را پیدا کردیم که ممکن است دوست داشته باشید!
IXTH1N170DHVIXYS
G3R45MT17DGeneSiC Semiconductor
IXTH3N200P3HVIXYS
STW4N150STMicroelectronics
IXTH6N100D2IXYS- G2R1000MT17DGeneSiC Semiconductor
LSIC1MO170E0750Littelfuse Inc.- STW3N170STMicroelectronics
