SI7114DN-T1-E3

JavaScript seems to be disabled in your browser. For the best experience on our site, be sure to turn on Javascript in your browser.

MOSFET N-CH 30V 11.7A PPAK1212-8

قسمت # NOVA:

312-2282430-SI7114DN-T1-E3

سازنده:

شماره قطعه سازنده:

SI7114DN-T1-E3

بسته استاندارد:

3,000

برگه اطلاعات فنی:

فرمت دانلود موجود

N-Channel 30 V 11.7A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount PowerPAK® 1212-8

More Information
دسته بندی	ترانزیستور - FET، ماسفت - تک
سازنده	Vishay Siliconix
RoHS	1
بسته بندی	Tape & Reel (TR)
دمای عملیاتی	-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع نصب	Surface Mount
بسته دستگاه تامین کننده	PowerPAK® 1212-8
شماره محصول پایه	SI7114
فن آوری	MOSFET (Metal Oxide)
سلسله	TrenchFET®
جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25°C	11.7A (Ta)
ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن)	4.5V, 10V
Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs	7.5mOhm @ 18.3A, 10V
Vgs(th) (حداکثر) @ ID	3V @ 250µA
شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs	19 nC @ 4.5 V
ویژگی FET	-
بسته / مورد	PowerPAK® 1212-8
Vgs (حداکثر)	±20V
نوع FET	N-Channel
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)	30 V
اتلاف نیرو (حداکثر)	1.5W (Ta)
نامهای دیگر	SI7114DN-T1-E3CT SI7114DNT1E3 SI7114DN-T1-E3TR SI7114DN-T1-E3DKR