SIR606BDP-T1-RE3

JavaScript seems to be disabled in your browser. For the best experience on our site, be sure to turn on Javascript in your browser.

MOSFET N-CH 100V 10.9A PPAK

قسمت # NOVA:

312-2278197-SIR606BDP-T1-RE3

سازنده:

شماره قطعه سازنده:

SIR606BDP-T1-RE3

بسته استاندارد:

3,000

برگه اطلاعات فنی:

فرمت دانلود موجود

OrCad

KiCad

N-Channel 100 V 10.9A (Ta), 38.7A (Tc) 5W (Ta), 62.5W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8

More Information
دسته بندی	ترانزیستور - FET، ماسفت - تک
سازنده	Vishay Siliconix
RoHS	1
بسته بندی	Tape & Reel (TR)
دمای عملیاتی	-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع نصب	Surface Mount
بسته دستگاه تامین کننده	PowerPAK® SO-8
شماره محصول پایه	SIR606
فن آوری	MOSFET (Metal Oxide)
سلسله	TrenchFET® Gen IV
جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25°C	10.9A (Ta), 38.7A (Tc)
ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن)	7.5V, 10V
Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs	17.4mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (حداکثر) @ ID	4V @ 250µA
شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs	30 nC @ 10 V
ویژگی FET	-
بسته / مورد	PowerPAK® SO-8
Vgs (حداکثر)	±20V
نوع FET	N-Channel
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)	100 V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds	1470 pF @ 50 V
اتلاف نیرو (حداکثر)	5W (Ta), 62.5W (Tc)
نامهای دیگر	SIR606BDP-T1-RE3CT SIR606BDP-T1-RE3TR SIR606BDP-T1-RE3DKR

In stock لطفا با ما تماس بگیرید

قیمتی که می خواهید نیست؟ فرم ها را پر کنید و ما در اسرع وقت با شما تماس خواهیم گرفت.

ما محصولات دیگری را پیدا کردیم که ممکن است دوست داشته باشید!