SI7308DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 60V 6A PPAK1212-8
قسمت # NOVA:
312-2287832-SI7308DN-T1-GE3
سازنده:
شماره قطعه سازنده:
SI7308DN-T1-GE3
بسته استاندارد:
3,000
برگه اطلاعات فنی:

فرمت دانلود موجود

N-Channel 60 V 6A (Tc) 3.2W (Ta), 19.8W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8

More Information
دسته بندیترانزیستور - FET، ماسفت - تک
سازندهVishay Siliconix
RoHS 1
بسته بندیTape & Reel (TR)
دمای عملیاتی -55°C ~ 150°C (TJ)
نوع نصبSurface Mount
بسته دستگاه تامین کننده PowerPAK® 1212-8
شماره محصول پایه SI7308
فن آوریMOSFET (Metal Oxide)
سلسلهTrenchFET®
جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25°C 6A (Tc)
ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن)4.5V, 10V
Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs 58mOhm @ 5.4A, 10V
Vgs(th) (حداکثر) @ ID 3V @ 250µA
شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs 20 nC @ 10 V
ویژگی FET-
بسته / موردPowerPAK® 1212-8
Vgs (حداکثر)±20V
نوع FETN-Channel
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)60 V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds 665 pF @ 15 V
اتلاف نیرو (حداکثر) 3.2W (Ta), 19.8W (Tc)
نامهای دیگرSI7308DNT1GE3
SI7308DN-T1-GE3TR
SI7308DN-T1-GE3CT
SI7308DN-T1-GE3DKR

In stock لطفا با ما تماس بگیرید

Whatsapp

قیمتی که می خواهید نیست؟ فرم ها را پر کنید و ما در اسرع وقت با شما تماس خواهیم گرفت.