IPD50N06S4L08ATMA2

MOSFET N-CH 60V 50A TO252-31
قسمت # NOVA:
312-2287979-IPD50N06S4L08ATMA2
شماره قطعه سازنده:
IPD50N06S4L08ATMA2
بسته استاندارد:
2,500
برگه اطلاعات فنی:

فرمت دانلود موجود

N-Channel 60 V 50A (Tc) 71W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11

More Information
دسته بندیترانزیستور - FET، ماسفت - تک
سازندهInfineon Technologies
RoHS 1
بسته بندیTape & Reel (TR)
دمای عملیاتی -55°C ~ 175°C (TJ)
نوع نصبSurface Mount
بسته دستگاه تامین کننده PG-TO252-3-11
شماره محصول پایه IPD50N06
فن آوریMOSFET (Metal Oxide)
سلسلهAutomotive, AEC-Q101, OptiMOS™
جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25°C 50A (Tc)
ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن)4.5V, 10V
Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs 7.8mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (حداکثر) @ ID 2.2V @ 35µA
شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs 64 nC @ 10 V
ویژگی FET-
بسته / موردTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs (حداکثر)±16V
نوع FETN-Channel
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)60 V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds 4780 pF @ 25 V
اتلاف نیرو (حداکثر) 71W (Tc)
نامهای دیگر448-IPD50N06S4L08ATMA2DKR
IPD50N06S4L08ATMA2-ND
INFINFIPD50N06S4L08ATMA2
448-IPD50N06S4L08ATMA2CT
SP001028664
2156-IPD50N06S4L08ATMA2
448-IPD50N06S4L08ATMA2TR

In stock لطفا با ما تماس بگیرید

Whatsapp

قیمتی که می خواهید نیست؟ فرم ها را پر کنید و ما در اسرع وقت با شما تماس خواهیم گرفت.