SI3474DV-T1-GE3

MOSFET N-CH 100V 3.8A 6TSOP
قسمت # NOVA:
312-2285001-SI3474DV-T1-GE3
سازنده:
شماره قطعه سازنده:
SI3474DV-T1-GE3
بسته استاندارد:
3,000
برگه اطلاعات فنی:

فرمت دانلود موجود

N-Channel 100 V 3.8A (Tc) 3.6W (Tc) Surface Mount 6-TSOP

More Information
دسته بندیترانزیستور - FET، ماسفت - تک
سازندهVishay Siliconix
RoHS 1
بسته بندیTape & Reel (TR)
دمای عملیاتی -55°C ~ 150°C (TJ)
نوع نصبSurface Mount
بسته دستگاه تامین کننده 6-TSOP
شماره محصول پایه SI3474
فن آوریMOSFET (Metal Oxide)
سلسلهTrenchFET®
جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25°C 3.8A (Tc)
ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن)4.5V, 10V
Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs 126mOhm @ 2A, 10V
Vgs(th) (حداکثر) @ ID 3V @ 250µA
شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs 10.4 nC @ 10 V
ویژگی FET-
بسته / موردSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Vgs (حداکثر)±20V
نوع FETN-Channel
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)100 V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds 196 pF @ 50 V
اتلاف نیرو (حداکثر) 3.6W (Tc)
نامهای دیگرSI3474DV-T1-GE3CT
SI3474DV-T1-GE3TR
SI3474DV-T1-GE3DKR

In stock لطفا با ما تماس بگیرید

Whatsapp

قیمتی که می خواهید نیست؟ فرم ها را پر کنید و ما در اسرع وقت با شما تماس خواهیم گرفت.