BSC010NE2LSATMA1

JavaScript seems to be disabled in your browser. For the best experience on our site, be sure to turn on Javascript in your browser.

MOSFET N-CH 25V 39A/100A TDSON

قسمت # NOVA:

312-2282829-BSC010NE2LSATMA1

سازنده:

شماره قطعه سازنده:

BSC010NE2LSATMA1

بسته استاندارد:

5,000

برگه اطلاعات فنی:

فرمت دانلود موجود

N-Channel 25 V 39A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 96W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-7

More Information
دسته بندی	ترانزیستور - FET، ماسفت - تک
سازنده	Infineon Technologies
RoHS	1
بسته بندی	Tape & Reel (TR)
دمای عملیاتی	-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع نصب	Surface Mount
بسته دستگاه تامین کننده	PG-TDSON-8-7
شماره محصول پایه	BSC010
فن آوری	MOSFET (Metal Oxide)
سلسله	OptiMOS™
جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25°C	39A (Ta), 100A (Tc)
ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن)	4.5V, 10V
Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs	1mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (حداکثر) @ ID	2V @ 250µA
شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs	64 nC @ 10 V
ویژگی FET	-
بسته / مورد	8-PowerTDFN
Vgs (حداکثر)	±20V
نوع FET	N-Channel
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)	25 V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds	4700 pF @ 12 V
اتلاف نیرو (حداکثر)	2.5W (Ta), 96W (Tc)
نامهای دیگر	BSC010NE2LSCT-ND BSC010NE2LS-ND BSC010NE2LSATMA1TR BSC010NE2LSDKR BSC010NE2LS BSC010NE2LSTR-ND SP000776124 BSC010NE2LSCT BSC010NE2LSATMA1CT BSC010NE2LSATMA1DKR BSC010NE2LSDKR-ND