آلتیوم
عقاب
OrCad
پد ها
KiCad
FDB0300N1007L
MOSFET N-CH 100V 200A TO263-7
قسمت # NOVA:
312-2273075-FDB0300N1007L
سازنده:
شماره قطعه سازنده:
FDB0300N1007L
بسته استاندارد:
800
برگه اطلاعات فنی:
فرمت دانلود موجود
لطفا اطلاعات خود را در فرم پر کنید، ما با شما تماس خواهیم گرفت و در اسرع وقت مدل cad را به شما می دهیم.
N-Channel 100 V 200A (Tc) 3.8W (Ta), 250W (Tc) Surface Mount TO-263-7
| دسته بندی | ترانزیستور - FET، ماسفت - تک | |
| سازنده | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| بسته بندی | Tape & Reel (TR) | |
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| نوع نصب | Surface Mount | |
| بسته دستگاه تامین کننده | TO-263-7 | |
| شماره محصول پایه | FDB0300 | |
| فن آوری | MOSFET (Metal Oxide) | |
| سلسله | PowerTrench® | |
| جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25°C | 200A (Tc) | |
| ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن) | 6V, 10V | |
| Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs | 3mOhm @ 26A, 10V | |
| Vgs(th) (حداکثر) @ ID | 4V @ 250µA | |
| شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs | 113 nC @ 10 V | |
| ویژگی FET | - | |
| بسته / مورد | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) | |
| Vgs (حداکثر) | ±20V | |
| نوع FET | N-Channel | |
| تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss) | 100 V | |
| ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds | 8295 pF @ 50 V | |
| اتلاف نیرو (حداکثر) | 3.8W (Ta), 250W (Tc) | |
| نامهای دیگر | FDB0300N1007LTR FDB0300N1007LDKR FDB0300N1007LCT |
In stock لطفا با ما تماس بگیرید
قیمتی که می خواهید نیست؟ فرم ها را پر کنید و ما در اسرع وقت با شما تماس خواهیم گرفت.
ما محصولات دیگری را پیدا کردیم که ممکن است دوست داشته باشید!
IPB039N10N3GATMA1Infineon Technologies
FDB035N10Aonsemi
FDP2D3N10CFairchild Semiconductor
IRLS4030TRL7PPInfineon Technologies
IPB032N10N5ATMA1Infineon Technologies
