TPD3215M

GANFET 2N-CH 600V 70A MODULE

قسمت # NOVA:

303-2250719-TPD3215M

سازنده:

شماره قطعه سازنده:

TPD3215M

بسته استاندارد:

برگه اطلاعات فنی:

فرمت دانلود موجود

Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 600V 70A (Tc) 470W Through Hole Module

More Information
دسته بندی	ترانزیستورها - FET ها، MOSFET ها - آرایه ها
سازنده	Transphorm
RoHS	1
دمای عملیاتی	-40°C ~ 150°C (TJ)
نوع نصب	Through Hole
بسته دستگاه تامین کننده	Module
بسته / مورد	Module
سلسله	-
جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25°C	70A (Tc)
Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs	34mOhm @ 30A, 8V
Vgs(th) (حداکثر) @ ID	-
شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs	28nC @ 8V
ویژگی FET	GaNFET (Gallium Nitride)
نوع FET	2 N-Channel (Half Bridge)
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)	600V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds	2260pF @ 100V
قدرت - حداکثر	470W
نامهای دیگر	TPH3215M TPH3215M-ND

In stock لطفا با ما تماس بگیرید

قیمتی که می خواهید نیست؟ فرم ها را پر کنید و ما در اسرع وقت با شما تماس خواهیم گرفت.

ما محصولات دیگری را پیدا کردیم که ممکن است دوست داشته باشید!