SI4622DY-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC
قسمت # NOVA:
303-2254114-SI4622DY-T1-GE3
سازنده:
شماره قطعه سازنده:
SI4622DY-T1-GE3
بسته استاندارد:
2,500
برگه اطلاعات فنی:

فرمت دانلود موجود

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 8A 3.3W, 3.1W Surface Mount 8-SOIC

More Information
دسته بندیترانزیستورها - FET ها، MOSFET ها - آرایه ها
سازندهVishay Siliconix
RoHS 1
بسته بندیTape & Reel (TR)
دمای عملیاتی -55°C ~ 150°C (TJ)
نوع نصبSurface Mount
بسته دستگاه تامین کننده 8-SOIC
شماره محصول پایه SI4622
بسته / مورد8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
سلسلهSkyFET®, TrenchFET®
جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25°C 8A
Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs 16mOhm @ 9.6A, 10V
Vgs(th) (حداکثر) @ ID 2.5V @ 1mA
شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs 60nC @ 10V
ویژگی FETStandard
نوع FET2 N-Channel (Dual)
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)30V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds 2458pF @ 15V
قدرت - حداکثر 3.3W, 3.1W
نامهای دیگرSI4622DYT1GE3
SI4622DY-T1-GE3CT
SI4622DY-T1-GE3TR
SI4622DY-T1-GE3DKR

In stock لطفا با ما تماس بگیرید

Whatsapp

قیمتی که می خواهید نیست؟ فرم ها را پر کنید و ما در اسرع وقت با شما تماس خواهیم گرفت.