SI5509DC-T1-GE3

MOSFET N/P-CH 20V 6.1A 1206-8
قسمت # NOVA:
303-2254322-SI5509DC-T1-GE3
سازنده:
شماره قطعه سازنده:
SI5509DC-T1-GE3
بسته استاندارد:
3,000
برگه اطلاعات فنی:

فرمت دانلود موجود

Mosfet Array N and P-Channel 20V 6.1A, 4.8A 4.5W Surface Mount 1206-8 ChipFET™

More Information
دسته بندیترانزیستورها - FET ها، MOSFET ها - آرایه ها
سازندهVishay Siliconix
RoHS 1
بسته بندیTape & Reel (TR)
دمای عملیاتی -55°C ~ 150°C (TJ)
نوع نصبSurface Mount
بسته دستگاه تامین کننده 1206-8 ChipFET™
شماره محصول پایه SI5509
بسته / مورد8-SMD, Flat Lead
سلسلهTrenchFET®
جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25°C 6.1A, 4.8A
Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs 52mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs(th) (حداکثر) @ ID 2V @ 250µA
شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs 6.6nC @ 5V
ویژگی FETLogic Level Gate
نوع FETN and P-Channel
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)20V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds 455pF @ 10V
قدرت - حداکثر 4.5W

In stock لطفا با ما تماس بگیرید

Whatsapp

قیمتی که می خواهید نیست؟ فرم ها را پر کنید و ما در اسرع وقت با شما تماس خواهیم گرفت.