SI4923DY-T1-GE3

MOSFET 2P-CH 30V 6.2A 8-SOIC
قسمت # NOVA:
303-2254307-SI4923DY-T1-GE3
سازنده:
شماره قطعه سازنده:
SI4923DY-T1-GE3
بسته استاندارد:
2,500
برگه اطلاعات فنی:

فرمت دانلود موجود

Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 6.2A 1.1W Surface Mount 8-SOIC

More Information
دسته بندیترانزیستورها - FET ها، MOSFET ها - آرایه ها
سازندهVishay Siliconix
RoHS 1
بسته بندیTape & Reel (TR)
دمای عملیاتی -55°C ~ 150°C (TJ)
نوع نصبSurface Mount
بسته دستگاه تامین کننده 8-SOIC
شماره محصول پایه SI4923
بسته / مورد8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
سلسلهTrenchFET®
جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25°C 6.2A
Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs 21mOhm @ 8.3A, 10V
Vgs(th) (حداکثر) @ ID 3V @ 250µA
شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs 70nC @ 10V
ویژگی FETLogic Level Gate
نوع FET2 P-Channel (Dual)
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)30V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds -
قدرت - حداکثر 1.1W

In stock لطفا با ما تماس بگیرید

Whatsapp

قیمتی که می خواهید نیست؟ فرم ها را پر کنید و ما در اسرع وقت با شما تماس خواهیم گرفت.