SI4276DY-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC
قسمت # NOVA:
303-2254147-SI4276DY-T1-GE3
سازنده:
شماره قطعه سازنده:
SI4276DY-T1-GE3
بسته استاندارد:
2,500
برگه اطلاعات فنی:

فرمت دانلود موجود

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 8A 3.6W, 2.8W Surface Mount 8-SOIC

More Information
دسته بندیترانزیستورها - FET ها، MOSFET ها - آرایه ها
سازندهVishay Siliconix
RoHS 1
بسته بندیTape & Reel (TR)
دمای عملیاتی -55°C ~ 150°C (TJ)
نوع نصبSurface Mount
بسته دستگاه تامین کننده 8-SOIC
شماره محصول پایه SI4276
بسته / مورد8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
سلسلهTrenchFET®
جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25°C 8A
Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs 15.3mOhm @ 9.5A, 10V
Vgs(th) (حداکثر) @ ID 2.5V @ 250µA
شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs 26nC @ 10V
ویژگی FETLogic Level Gate
نوع FET2 N-Channel (Dual)
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)30V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds 1000pF @ 15V
قدرت - حداکثر 3.6W, 2.8W
نامهای دیگرSI4276DYT1GE3
SI4276DY-T1-GE3DKR
SI4276DY-T1-GE3CT
SI4276DY-T1-GE3TR

In stock لطفا با ما تماس بگیرید

Whatsapp

قیمتی که می خواهید نیست؟ فرم ها را پر کنید و ما در اسرع وقت با شما تماس خواهیم گرفت.