EPC2103

GAN TRANS SYMMETRICAL HALF BRIDG
قسمت # NOVA:
303-2243639-EPC2103
سازنده:
شماره قطعه سازنده:
EPC2103
بسته استاندارد:
500
برگه اطلاعات فنی:

فرمت دانلود موجود

Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 80V 28A - Surface Mount Die

More Information
دسته بندیترانزیستورها - FET ها، MOSFET ها - آرایه ها
سازندهEPC
RoHS 1
بسته بندیTape & Reel (TR)
دمای عملیاتی -40°C ~ 150°C (TJ)
نوع نصبSurface Mount
بسته دستگاه تامین کننده Die
بسته / موردDie
سلسلهeGaN®
جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25°C 28A
Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs 5.5mOhm @ 20A, 5V
Vgs(th) (حداکثر) @ ID 2.5V @ 7mA
شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs 6.5nC @ 5V
ویژگی FETGaNFET (Gallium Nitride)
نوع FET2 N-Channel (Half Bridge)
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)80V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds 760pF @ 40V
قدرت - حداکثر -
نامهای دیگر917-1183-6
917-1183-2
917-1183-1

In stock لطفا با ما تماس بگیرید

Whatsapp

قیمتی که می خواهید نیست؟ فرم ها را پر کنید و ما در اسرع وقت با شما تماس خواهیم گرفت.