SQJ260EP-T1_GE3

MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8
قسمت # NOVA:
303-2247733-SQJ260EP-T1_GE3
سازنده:
شماره قطعه سازنده:
SQJ260EP-T1_GE3
بسته استاندارد:
3,000
برگه اطلاعات فنی:

فرمت دانلود موجود

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 20A (Tc), 54A (Tc) 27W (Tc), 48W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric

More Information
دسته بندیترانزیستورها - FET ها، MOSFET ها - آرایه ها
سازندهVishay Siliconix
RoHS 1
بسته بندیTape & Reel (TR)
دمای عملیاتی -55°C ~ 175°C (TJ)
نوع نصبSurface Mount
بسته دستگاه تامین کننده PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
شماره محصول پایه SQJ260
بسته / موردPowerPAK® SO-8 Dual
سلسلهAutomotive, AEC-Q101, TrenchFET®
جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25°C 20A (Tc), 54A (Tc)
Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs 19mOhm @ 6A, 10V, 8.5mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (حداکثر) @ ID 2.5V @ 250µA
شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs 20nC @ 10V, 40nC @ 10V
ویژگی FETStandard
نوع FET2 N-Channel (Dual)
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)60V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds 1100pF @ 25V, 2500pF @ 25V
قدرت - حداکثر 27W (Tc), 48W (Tc)
نامهای دیگرSQJ260EP-T1_GE3TR
SQJ260EP-T1_GE3DKR
SQJ260EP-T1_GE3CT

In stock لطفا با ما تماس بگیرید

Whatsapp

قیمتی که می خواهید نیست؟ فرم ها را پر کنید و ما در اسرع وقت با شما تماس خواهیم گرفت.