SI9934BDY-T1-GE3

MOSFET 2P-CH 12V 4.8A 8SOIC
قسمت # NOVA:
303-2254123-SI9934BDY-T1-GE3
سازنده:
شماره قطعه سازنده:
SI9934BDY-T1-GE3
بسته استاندارد:
2,500
برگه اطلاعات فنی:

فرمت دانلود موجود

Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 12V 4.8A 1.1W Surface Mount 8-SOIC

More Information
دسته بندیترانزیستورها - FET ها، MOSFET ها - آرایه ها
سازندهVishay Siliconix
RoHS 1
بسته بندیTape & Reel (TR)
دمای عملیاتی -55°C ~ 150°C (TJ)
نوع نصبSurface Mount
بسته دستگاه تامین کننده 8-SOIC
شماره محصول پایه SI9934
بسته / مورد8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
سلسلهTrenchFET®
جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25°C 4.8A
Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs 35mOhm @ 6.4A, 4.5V
Vgs(th) (حداکثر) @ ID 1.4V @ 250µA
شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs 20nC @ 4.5V
ویژگی FETLogic Level Gate
نوع FET2 P-Channel (Dual)
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)12V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds -
قدرت - حداکثر 1.1W
نامهای دیگرSI9934BDY-T1-GE3TR
SI9934BDY-T1-GE3CT
SI9934BDY-T1-GE3DKR
SI9934BDYT1GE3

In stock لطفا با ما تماس بگیرید

Whatsapp

قیمتی که می خواهید نیست؟ فرم ها را پر کنید و ما در اسرع وقت با شما تماس خواهیم گرفت.