SIRB40DP-T1-GE3

MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK SO8
قسمت # NOVA:
303-2247920-SIRB40DP-T1-GE3
سازنده:
شماره قطعه سازنده:
SIRB40DP-T1-GE3
بسته استاندارد:
3,000
برگه اطلاعات فنی:

فرمت دانلود موجود

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 40A (Tc) 46.2W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual

More Information
دسته بندیترانزیستورها - FET ها، MOSFET ها - آرایه ها
سازندهVishay Siliconix
RoHS 1
بسته بندیTape & Reel (TR)
دمای عملیاتی -55°C ~ 150°C (TJ)
نوع نصبSurface Mount
بسته دستگاه تامین کننده PowerPAK® SO-8 Dual
شماره محصول پایه SIRB40
بسته / موردPowerPAK® SO-8 Dual
سلسلهTrenchFET®
جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25°C 40A (Tc)
Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs 3.25mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (حداکثر) @ ID 2.4V @ 250µA
شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs 45nC @ 4.5V
ویژگی FETStandard
نوع FET2 N-Channel (Dual)
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)40V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds 4290pF @ 20V
قدرت - حداکثر 46.2W
نامهای دیگرSIRB40DP-T1-GE3CT
SIRB40DP-T1-GE3TR
SIRB40DP-T1-GE3DKR

In stock لطفا با ما تماس بگیرید

Whatsapp

قیمتی که می خواهید نیست؟ فرم ها را پر کنید و ما در اسرع وقت با شما تماس خواهیم گرفت.

ما محصولات دیگری را پیدا کردیم که ممکن است دوست داشته باشید!