SI4532CDY-T1-GE3

MOSFET N/P-CH 30V 6A 8-SOIC
قسمت # NOVA:
303-2251416-SI4532CDY-T1-GE3
سازنده:
شماره قطعه سازنده:
SI4532CDY-T1-GE3
بسته استاندارد:
2,500
برگه اطلاعات فنی:

فرمت دانلود موجود

Mosfet Array N and P-Channel 30V 6A, 4.3A 2.78W Surface Mount 8-SOIC

More Information
دسته بندیترانزیستورها - FET ها، MOSFET ها - آرایه ها
سازندهVishay Siliconix
RoHS 1
بسته بندیTape & Reel (TR)
دمای عملیاتی -55°C ~ 150°C (TJ)
نوع نصبSurface Mount
بسته دستگاه تامین کننده 8-SOIC
شماره محصول پایه SI4532
بسته / مورد8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
سلسلهTrenchFET®
جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25°C 6A, 4.3A
Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs 47mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs(th) (حداکثر) @ ID 3V @ 250µA
شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs 9nC @ 10V
ویژگی FETStandard
نوع FETN and P-Channel
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)30V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds 305pF @ 15V
قدرت - حداکثر 2.78W
نامهای دیگرSI4532CDY-T1-GE3DKR
SI4532CDY-T1-GE3CT
SI4532CDY-T1-GE3-ND
SI4532CDYT1GE3
SI4532CDY-T1-GE3TR

In stock لطفا با ما تماس بگیرید

Whatsapp

قیمتی که می خواهید نیست؟ فرم ها را پر کنید و ما در اسرع وقت با شما تماس خواهیم گرفت.

ما محصولات دیگری را پیدا کردیم که ممکن است دوست داشته باشید!