SIR410DP-T1-GE3

JavaScript seems to be disabled in your browser. For the best experience on our site, be sure to turn on Javascript in your browser.

MOSFET N-CH 20V 35A PPAK SO-8

قسمت # NOVA:

312-2277852-SIR410DP-T1-GE3

سازنده:

شماره قطعه سازنده:

SIR410DP-T1-GE3

بسته استاندارد:

3,000

برگه اطلاعات فنی:

فرمت دانلود موجود

OrCad

KiCad

N-Channel 20 V 35A (Tc) 4.2W (Ta), 36W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8

More Information
دسته بندی	ترانزیستور - FET، ماسفت - تک
سازنده	Vishay Siliconix
RoHS	1
بسته بندی	Tape & Reel (TR)
دمای عملیاتی	-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع نصب	Surface Mount
بسته دستگاه تامین کننده	PowerPAK® SO-8
شماره محصول پایه	SIR410
فن آوری	MOSFET (Metal Oxide)
سلسله	TrenchFET®
جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25°C	35A (Tc)
ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن)	4.5V, 10V
Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs	4.8mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (حداکثر) @ ID	2.5V @ 250µA
شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs	41 nC @ 10 V
ویژگی FET	-
بسته / مورد	PowerPAK® SO-8
Vgs (حداکثر)	±20V
نوع FET	N-Channel
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)	20 V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds	1600 pF @ 10 V
اتلاف نیرو (حداکثر)	4.2W (Ta), 36W (Tc)
نامهای دیگر	SIR410DP-T1-GE3DKR SIR410DP-T1-GE3CT SIR410DPT1GE3 SIR410DP-T1-GE3TR SIR410DP-T1-GE3-ND

In stock لطفا با ما تماس بگیرید

قیمتی که می خواهید نیست؟ فرم ها را پر کنید و ما در اسرع وقت با شما تماس خواهیم گرفت.

ما محصولات دیگری را پیدا کردیم که ممکن است دوست داشته باشید!