BSC057N08NS3GATMA1

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MOSFET N-CH 80V 16A/100A TDSON

Número de pieza NOVA:

312-2281807-BSC057N08NS3GATMA1

Fabricante:

Número de parte del fabricante:

BSC057N08NS3GATMA1

Embalaje estándar:

5,000

Hoja de datos técnicos:

Formato de descarga disponible

águila

Okad

Forro

Kikad

N-Channel 80 V 16A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 114W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-5

More Information
Categoría	Transistores - FET, MOSFET - Simple
Fabricante	Infineon Technologies
RoHS	1
Embalaje	Tape & Reel (TR)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	PG-TDSON-8-5
Número de producto base	BSC057
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Serie	OptiMOS™
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C	16A (Ta), 100A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs	5.7mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.	3.5V @ 73µA
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs	56 nC @ 10 V
Función FET	-
Paquete / Caja	8-PowerTDFN
Vgs (Máx.)	±20V
Tipo FET	N-Channel
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	80 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	3900 pF @ 40 V
Disipación de energía (máx.)	2.5W (Ta), 114W (Tc)
Otros nombres	BSC057N08NS3 GCT-ND BSC057N08NS3 G BSC057N08NS3GATMA1CT-NDTR-ND BSC057N08NS3GATMA1TR SP000447542 BSC057N08NS3GATMA1DKR BSC057N08NS3 GDKR-ND BSC057N08NS3 GCT BSC057N08NS3GATMA1DKR-NDTR-ND BSC057N08NS3 GDKR BSC057N08NS3 GTR-ND BSC057N08NS3G BSC057N08NS3GATMA1CT BSC057N08NS3 G-ND BSC057N08NS3 GTR